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Jul 23, 2024

반도체 기술 - 화학 기상 증착(CVD)

현재, 준비된 자료는 다음과 같습니다.화학기상증착기술절삭 공구 재료, 내마모성, 내열성, 내식성 재료, 항공 우주 산업의 특수 복합 재료, 원자로 재료 및 생물 의학 재료에 사용될 뿐만 아니라 다양한 분말 재료, 벌크 재료, 새로운 결정 재료, 세라믹 섬유 및 다이아몬드 필름의 제조 및 합성에도 널리 사용됩니다. 대규모 집적 회로 기술로서 강유전체 재료, 절연 재료, 자성 재료 및 광전자 재료의 박막 제조 기술 분야에서는 더욱 없어서는 안 될 것입니다.

의 원칙CVD 기술

CVD 기술은 박막을 구성하는 원소와 반응에 필요한 기타 가스를 포함한 기체 또는 액체 반응물을 반응 챔버에 주입하여 기판 표면에서 화학 반응을 일으키고, 고체 생성물을 표면에 증착시켜 박막을 형성하는 공정입니다.

여기에는 4가지 주요 단계가 포함됩니다.
① 반응가스는 재료 표면을 향해 확산된다.
② 반응성 가스가 재료 표면에 흡착된다.
③ 화학반응은 물질의 표면에서 일어난다.
④ 기체 부산물이 재료 표면에서 분리됩니다.

CVD 기술의 특징

CVD 기술로 형성된 필름 층은 치밀하고 균일하며, 필름 층과 기판 사이의 결합이 강하고, 필름 조성을 쉽게 제어하고, 증착 속도가 빠르고, 필름 품질이 안정적입니다. 일부 특수 필름 층은 또한 우수한 광학적, 열적, 전기적 특성을 가지고 있어 대량 생산을 쉽게 달성할 수 있습니다. 그러나 CVD의 증착 온도는 일반적으로 900도에서 2000도 사이로 매우 높아 부품의 변형과 미세 구조의 변화를 쉽게 일으킬 수 있어 본체 재료의 기계적 특성을 감소시키고 본체 재료와 코팅 사이의 결합력을 약화시켜 기판, 증착 층 또는 결과 작업물의 품질을 제한합니다. 현재 CVD 기술은 중저온 및 고진공의 두 가지 방향으로 발전하고 있으며 플라즈마, 레이저, 초음파 및 기타 기술과 결합하여 많은 새로운 CVD 기술을 형성합니다.

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